Caractéristique des transistors

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==Les nomenclatures==
==Les nomenclatures==
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Il existe (au moins) trois nomclatures :
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Il existe trois grandes nomenclatures :
* une nomenclature européenne, de la forme '''BB'''XXX (diodes varicaps), '''BC'''YYY (transistors petits signaux), '''BF'''ZZZ (transistors HF), etc.  
* une nomenclature européenne, de la forme '''BB'''XXX (diodes varicaps), '''BC'''YYY (transistors petits signaux), '''BF'''ZZZ (transistors HF), etc.  
* une nomenclature US, de la forme '''1N'''XXXX, '''2N'''YYYY, etc.
* une nomenclature US, de la forme '''1N'''XXXX, '''2N'''YYYY, etc.
* une nomenclature japonaise, de la forme '''2SC'''XXX, '''2SKY'''YYY, etc.
* une nomenclature japonaise, de la forme '''2SC'''XXX, '''2SKY'''YYY, etc.
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Les règles complètes sont rappelées ci-après.
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Les règles complètes pour chacune d'entre-elles sont rappelées ci-après.
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===Nomenclature américaine===
===Nomenclature américaine===
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La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le [http://www.jedec.org/standards-documents/type-registration-data-sheets site du JEDEC].
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La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le standard de désignation est accessible gratuitement (après inscription) sur le [http://www.jedec.org/standards-documents/type-registration-data-sheets site du JEDEC].
Une copie privée du document est disponible [ici].
Une copie privée du document est disponible [ici].
En quelques mots, la désignation  comporte :  
En quelques mots, la désignation  comporte :  
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* Un chiffre qui dépend ''grosso modo'' du nombre de connexions : 1 pour une diode, 2 pour un transistor,3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a quatre pattes (dont une masse...) ;
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* Un chiffre qui dépend ''grosso modo'' du nombre de connexions ''utiles'': 1 pour une diode, 2 pour un transistor, 3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a pourtant quatre pattes (dont une masse qui est certainement considéré comme une patte inutile). En vérité, cette définition - qui est pourtant celle donnée dans le standard - peut être avantageusement remplacée par "nombre de jonctions PN" (une autre définition que l'on trouve assez souvent).
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* Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro.
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* Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré portant le même numéro (donc un composant "en N") .
* Un nombre.
* Un nombre.
* Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant ('''attention''' : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
* Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant ('''attention''' : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
* Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.
* Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.
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===Nomenclature européeenne "PRO-electron"===
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===Nomenclature européeenne===
La nomenclature européenne est gérée par l'organisme [http://en.wikipedia.org/wiki/Pro_Electron PRO-Electron]. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.
La nomenclature européenne est gérée par l'organisme [http://en.wikipedia.org/wiki/Pro_Electron PRO-Electron]. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.
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Le standard de désignation est disponible [http://www.eeca.eu/data/File/PRO%20ELECTRON_D15%20final%20version%202007_12%20%28ESIA%29%20updated%2016%2007%2010.pdf ici].
{|class="wikitable"
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|A||Low power/small signal diode || AA119, BA121
|A||Low power/small signal diode || AA119, BA121
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|B||[[Varicap|Varicap diode]] ||BB105G
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|C||Small signal transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BC546C
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|D||High power, low frequency power transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BD139
|D||High power, low frequency power transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BD139
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|E||[[Tunnel diode|Tunnel (Esaki-)diode]] || AE100
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|E||Tunnel (Esaki-)diode || AE100
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|F||Low power, [[Radio Frequency|RF]] (high frequency) [[BJT|Bipolar]] or [[FET]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BF245
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|F||Low power, Radio Frequency Bipolar or FET, R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BF245
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|G||Hybrid device ||
|G||Hybrid device ||
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|H||[[Hall effect sensor]]/diode ||
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|H||Hall effect sensor/diode ||
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|L||High frequency, high power transistor (for transmitters), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BLW34
|L||High frequency, high power transistor (for transmitters), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BLW34
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|M||[[Ring modulation|Ring modulator]]-type [[frequency mixer]] ||
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|N||[[Opto-isolator]] || CNY17  
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|N||Opto-isolator || CNY17  
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|Q||Radiation generator ([[Light-emitting diode|LED]])|| CQY99  
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|Q||Radiation generator (LED)|| CQY99  
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|R||Low-power control or switching device: [[Thyristor]]s, [[Diac]]s, [[Triac]]s, [[Unijunction transistor|UJT]]s, Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. || BR100  
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|R||Low-power control or switching device: Thyristors, Diacs, Triacs, Unijunction transistors (UJT), Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. || BR100  
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|S||Low-power switching transistor, bipolar or [[MOSFET]]), R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BS170
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|S||Low-power switching transistor (bipolar or MOSFET), R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BS170
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|T||High-power control or switching device: [[Thyristor]]s, [[TRIAC]]s, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. || BT138  
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|T||High-power control or switching device: Thyristors, TRIACs, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. || BT138  
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|U||High-power switching transistors, bipolar or [[MOSFET]]), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BU508, BUZ11
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|U||High-power switching transistors (bipolar or MOSFET), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BU508, BUZ11
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|V||Antenna ||
|V||Antenna ||
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|W||Surface acoustic wave device ||
|W||Surface acoustic wave device ||
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|X||[[Frequency multiplier]]: [[Varactor]], [[Step recovery diode]] ||
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|X||Frequency multiplier: Varactor, Step recovery diode ||
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|Y||High-power rectifying diode || BY228  
|Y||High-power rectifying diode || BY228  
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|Z||[[Avalanche diode|Avalanche]], [[Transient voltage suppressor|TVS]], [[Zener diode|Zener]] diode || BZY91  
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|Z||Avalanche diode, Transient voltage suppressor (TVS), Zener diode || BZY91  
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A 3-digit sequence number (or one letter then 2 digits, for industrial types) follows<ref name="D15/2010-07">{{cite web |url=http://www.eeca.eu/data/File/PRO%20ELECTRON_D15%20final%20version%202007_12%20%28ESIA%29%20updated%2016%2007%2010.pdf |title=PRO ELECTRON_D15 final version 2007_12 (ESIA) updated 16/07/10.pdf |author=Pro Electron |date=July 2010 |accessdate=June 24, 2012}}</ref>. Examples are:
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Quelques exemples :
{|class="wikitable"
{|class="wikitable"
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! Prefix class !! Usage  !! Example
! Prefix class !! Usage  !! Example
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|AC||[[Germanium]] small signal transistor || AC126
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|AC||Germanium small signal transistor || AC126
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|AF||[[Germanium]] [[Radio Frequency|RF]] transistor ||AF117
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|AF||Germanium Radio Frequency transistor ||AF117
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|BC||Silicon, small signal transistor ("allround") || BC548B
|BC||Silicon, small signal transistor ("allround") || BC548B
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|BD||Silicon, power transistor || BD139
|BD||Silicon, power transistor || BD139
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|BF||Silicon, [[Radio Frequency|RF]] (high frequency) [[BJT]] or [[FET]] || BF245
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|BF||Silicon, Radio Frequency (high frequency) [[BJT]] or [[FET]] || BF245
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|BS||Silicon, switching transistor Bipolar or [[MOSFET]]) || BS170
|BS||Silicon, switching transistor Bipolar or [[MOSFET]]) || BS170
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|BL||Silicon, high frequency, high power (for transmitters) || BLW34
|BL||Silicon, high frequency, high power (for transmitters) || BLW34
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|BU||Silicon, high voltage (for [[Cathode ray tube|CRT]] horizontal deflection circuits) || BU508
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|BU||Silicon, high voltage (for Cathode ray tube horizontal deflection circuits) || BU508
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With early devices, the number indicated the case type. Suffixes may be used, such as a letter (e.g. "C" often means high h<sub>FE</sub>, such as in: BC549C<ref>[http://www.fairchildsemi.com/ds/BC/BC549.pdf Datasheet for BC549, with A,B and C gain groupings]</ref>). Other codes may follow to show gain (e.g. BC327-25) or voltage rating (e.g. BUK854-800A<ref>[http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BUK854-800A.pdf datasheet for BUK854-800A (800volt IGBT)]</ref>). A BC546 might only be marked "C546", thus possibly creating confusion with JIS abbreviated markings, because a transistor marked "C546" might also be a 2SC546.
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A noter qu'une lettre est parfois adjointe au nom pour désigner le gain (par exemple "BC249C" pour un "BC249" avec un gain important).
* Short summary of semiconductor diode and transistor designations
* Short summary of semiconductor diode and transistor designations
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                 Z=Zener diode
                 Z=Zener diode
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===Nomenclature japonaise===
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La nomenclature japonaise est gérée par le JEITA.
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[http://documentation.renesas.com/doc/products/transistor/rej27g0001_sst_typedesignation.pdf Ce document de RENESAS] décrit le standard de désignation.
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En quelques mots, pour ce qui cocnerne les transistors petits signaux :
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! Préfixe !! Type
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| 2SA || PNP high frequency use bipolar transistor
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| 2SB || PNP low frequency use bipolar transistor
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| 2SC || NPN high frequency use bipolar transistor
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| 2SD || NPN low frequency use bipolar transistor
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| 2SJ || P channel FET
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| 2SK || N channel FET
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| 3SK || N channel FET with two gates
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==Les bases de données de caractéristiques==
==Les bases de données de caractéristiques==

Latest revision as of 09:58, 6 September 2012

Contents

Les nomenclatures

Il existe trois grandes nomenclatures :

  • une nomenclature européenne, de la forme BBXXX (diodes varicaps), BCYYY (transistors petits signaux), BFZZZ (transistors HF), etc.
  • une nomenclature US, de la forme 1NXXXX, 2NYYYY, etc.
  • une nomenclature japonaise, de la forme 2SCXXX, 2SKYYYY, etc.

Les règles complètes pour chacune d'entre-elles sont rappelées ci-après.

Nomenclature américaine

La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le standard de désignation est accessible gratuitement (après inscription) sur le site du JEDEC.

Une copie privée du document est disponible [ici].

En quelques mots, la désignation comporte :

  • Un chiffre qui dépend grosso modo du nombre de connexions utiles: 1 pour une diode, 2 pour un transistor, 3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a pourtant quatre pattes (dont une masse qui est certainement considéré comme une patte inutile). En vérité, cette définition - qui est pourtant celle donnée dans le standard - peut être avantageusement remplacée par "nombre de jonctions PN" (une autre définition que l'on trouve assez souvent).
  • Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré portant le même numéro (donc un composant "en N") .
  • Un nombre.
  • Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant (attention : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
  • Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.

Nomenclature européeenne

La nomenclature européenne est gérée par l'organisme PRO-Electron. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.

Le standard de désignation est disponible ici.

2nd letter Usage Example
ALow power/small signal diode AA119, BA121
BVaricap diode BB105G
CSmall signal transistor, RthG > 15K/W BC546C
DHigh power, low frequency power transistor, RthG ≤ 15K/W BD139
ETunnel (Esaki-)diode AE100
FLow power, Radio Frequency Bipolar or FET, RthG > 15K/W BF245
GHybrid device
HHall effect sensor/diode
LHigh frequency, high power transistor (for transmitters), RthG ≤ 15K/W BLW34
MRing modulation-type frequency mixer
NOpto-isolator CNY17
QRadiation generator (LED) CQY99
RLow-power control or switching device: Thyristors, Diacs, Triacs, Unijunction transistors (UJT), Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. BR100
SLow-power switching transistor (bipolar or MOSFET), RthG > 15K/W BS170
THigh-power control or switching device: Thyristors, TRIACs, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. BT138
UHigh-power switching transistors (bipolar or MOSFET), RthG ≤ 15K/W BU508, BUZ11
VAntenna
WSurface acoustic wave device
XFrequency multiplier: Varactor, Step recovery diode
YHigh-power rectifying diode BY228
ZAvalanche diode, Transient voltage suppressor (TVS), Zener diode BZY91

Quelques exemples :

Prefix class Usage Example
ACGermanium small signal transistor AC126
AFGermanium Radio Frequency transistor AF117
BCSilicon, small signal transistor ("allround") BC548B
BDSilicon, power transistor BD139
BFSilicon, Radio Frequency (high frequency) BJT or FET BF245
BSSilicon, switching transistor Bipolar or MOSFET) BS170
BLSilicon, high frequency, high power (for transmitters) BLW34
BUSilicon, high voltage (for Cathode ray tube horizontal deflection circuits) BU508

A noter qu'une lettre est parfois adjointe au nom pour désigner le gain (par exemple "BC249C" pour un "BC249" avec un gain important).

  • Short summary of semiconductor diode and transistor designations 
    BC549C
   /  \ \ \___ variant (A,B,C for transistors implies low, medium or high gain)
  /    \ \____ serial number (3 digits or letter and 2 digits)
 /      \_____ device type:
A=Germanium     A=Signal Diode
B=Silicon       C=LF Low Power transistor
C=GaAs          D=Power transistor
                F=RF transistor (or FET) 
                P=Photosensitive transistor
                T=Triac or Thyristor
                Y=Rectifier Diode
                Z=Zener diode


Nomenclature japonaise

La nomenclature japonaise est gérée par le JEITA.

Ce document de RENESAS décrit le standard de désignation.

En quelques mots, pour ce qui cocnerne les transistors petits signaux :

Préfixe Type
2SA PNP high frequency use bipolar transistor
2SB PNP low frequency use bipolar transistor
2SC NPN high frequency use bipolar transistor
2SD NPN low frequency use bipolar transistor
2SJ P channel FET
2SK N channel FET
3SK N channel FET with two gates

Les bases de données de caractéristiques

Les caractéristiques essentielles des transistors peuvent se trouver sur les sites suivants :

Pour une description détaillée, on cherchera sur les sites qui donne accès aux datasheets complètes :

Certains (gros) sites commerciaux donnent aussi ces informations : <à compléter>

Les boitiers

On trouvera une liste très longue de types de boitiers sur les sites suivants :

Les équivalences

Les sites suivants proposent une recherche d'équivalence (basée une un sous-ensemble des caracétristiques des transistors) :

On trouve aussi quelques tables de correspondances :

  • <A compléter>


Naturellement, il existe aussi de gros catalogues papiers de correspondances :

  • <A compléter>
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