Caractéristique des transistors

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Contents 1 Les nomenclatures 1.1 Nomenclature américaine 1.2 Nomenclature européeenne 1.3 Nomenclature japonaise 2 Les bases de données de caractéristiques 3 Les boitiers 4 Les équivalences

Les nomenclatures

Il existe trois grandes nomenclatures :

• une nomenclature européenne, de la forme BBXXX (diodes varicaps), BCYYY (transistors petits signaux), BFZZZ (transistors HF), etc.
• une nomenclature US, de la forme 1NXXXX, 2NYYYY, etc.
• une nomenclature japonaise, de la forme 2SCXXX, 2SKYYYY, etc.

Les règles complètes pour chacune d'entre-elles sont rappelées ci-après.

Nomenclature américaine

La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le standard de désignation est accessible gratuitement (après inscription) sur le site du JEDEC.

Une copie privée du document est disponible [ici].

En quelques mots, la désignation comporte :

• Un chiffre qui dépend grosso modo du nombre de connexions utiles: 1 pour une diode, 2 pour un transistor, 3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a pourtant quatre pattes (dont une masse qui est certainement considéré comme une patte inutile). En vérité, cette définition - qui est pourtant celle donnée dans le standard - peut être avantageusement remplacée par "nombre de jonctions PN" (une autre définition que l'on trouve assez souvent).
• Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré portant le même numéro (donc un composant "en N") .
• Un nombre.
• Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant (attention : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
• Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.

Nomenclature européeenne

La nomenclature européenne est gérée par l'organisme PRO-Electron. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.

Le standard de désignation est disponible ici.

2nd letter	Usage	Example
A	Low power/small signal diode	AA119, BA121
B	Varicap diode	BB105G
C	Small signal transistor, RthG > 15K/W	BC546C
D	High power, low frequency power transistor, RthG ≤ 15K/W	BD139
E	Tunnel (Esaki-)diode	AE100
F	Low power, Radio Frequency Bipolar or FET, RthG > 15K/W	BF245
G	Hybrid device
H	Hall effect sensor/diode
L	High frequency, high power transistor (for transmitters), RthG ≤ 15K/W	BLW34
M	Ring modulation-type frequency mixer
N	Opto-isolator	CNY17
Q	Radiation generator (LED)	CQY99
R	Low-power control or switching device: Thyristors, Diacs, Triacs, Unijunction transistors (UJT), Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc.	BR100
S	Low-power switching transistor (bipolar or MOSFET), RthG > 15K/W	BS170
T	High-power control or switching device: Thyristors, TRIACs, Silicon bidirectional switch (SBS), etc.	BT138
U	High-power switching transistors (bipolar or MOSFET), RthG ≤ 15K/W	BU508, BUZ11
V	Antenna
W	Surface acoustic wave device
X	Frequency multiplier: Varactor, Step recovery diode
Y	High-power rectifying diode	BY228
Z	Avalanche diode, Transient voltage suppressor (TVS), Zener diode	BZY91

Quelques exemples :

Prefix class	Usage	Example
AC	Germanium small signal transistor	AC126
AF	Germanium Radio Frequency transistor	AF117
BC	Silicon, small signal transistor ("allround")	BC548B
BD	Silicon, power transistor	BD139
BF	Silicon, Radio Frequency (high frequency) BJT or FET	BF245
BS	Silicon, switching transistor Bipolar or MOSFET)	BS170
BL	Silicon, high frequency, high power (for transmitters)	BLW34
BU	Silicon, high voltage (for Cathode ray tube horizontal deflection circuits)	BU508

A noter qu'une lettre est parfois adjointe au nom pour désigner le gain (par exemple "BC249C" pour un "BC249" avec un gain important).

• Short summary of semiconductor diode and transistor designations

    BC549C
   /  \ \ \___ variant (A,B,C for transistors implies low, medium or high gain)
  /    \ \____ serial number (3 digits or letter and 2 digits)
 /      \_____ device type:
A=Germanium     A=Signal Diode
B=Silicon       C=LF Low Power transistor
C=GaAs          D=Power transistor
                F=RF transistor (or FET) 
                P=Photosensitive transistor
                T=Triac or Thyristor
                Y=Rectifier Diode
                Z=Zener diode

Nomenclature japonaise

La nomenclature japonaise est gérée par le JEITA.

Ce document de RENESAS décrit le standard de désignation.

En quelques mots, pour ce qui cocnerne les transistors petits signaux :

Préfixe	Type
2SA	PNP high frequency use bipolar transistor
2SB	PNP low frequency use bipolar transistor
2SC	NPN high frequency use bipolar transistor
2SD	NPN low frequency use bipolar transistor
2SJ	P channel FET
2SK	N channel FET
3SK	N channel FET with two gates

Les bases de données de caractéristiques

Les caractéristiques essentielles des transistors peuvent se trouver sur les sites suivants :

• http://alltransistors.com/
• <A compléter>

Pour une description détaillée, on cherchera sur les sites qui donne accès aux datasheets complètes :

• http://www.alldatasheet.com
• http://www.datasheetarchive.com/

Certains (gros) sites commerciaux donnent aussi ces informations : <à compléter>

Les boitiers

On trouvera une liste très longue de types de boitiers sur les sites suivants :

• http://alltransistors.com/korpusa_transistorov.php
• (un document à usage personnel qui reprend cette liste)

Les équivalences

Les sites suivants proposent une recherche d'équivalence (basée une un sous-ensemble des caracétristiques des transistors) :

On trouve aussi quelques tables de correspondances :

• <A compléter>

Naturellement, il existe aussi de gros catalogues papiers de correspondances :

• <A compléter>