Caractéristique des transistors

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==Les nomenclatures==
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Il existe (au moins) trois nomclatures :
Il existe (au moins) trois nomclatures :
* une nomenclature européenne, de la forme '''BB'''XXX (diodes varicaps), '''BC'''YYY (transistors petits signaux), '''BF'''ZZZ (transistors HF), etc.  
* une nomenclature européenne, de la forme '''BB'''XXX (diodes varicaps), '''BC'''YYY (transistors petits signaux), '''BF'''ZZZ (transistors HF), etc.  
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* une nomenclature US, de la forme '''1N'''XXXX ('''1''' jonction PN, donc une diode), '''2N'''YYYY ('''2''' jonctions PN, donc un transistor), etc.
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* une nomenclature US, de la forme '''1N'''XXXX, '''2N'''YYYY, etc.
* une nomenclature japonaise, de la forme '''2SC'''XXX, '''2SKY'''YYY, etc.
* une nomenclature japonaise, de la forme '''2SC'''XXX, '''2SKY'''YYY, etc.
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Les règles complètes sont rappelées ci-dessous :
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<A compléter>
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===Nomenclature américaine===
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La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le [http://www.jedec.org/standards-documents/type-registration-data-sheets site du JEDEC].
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En quelques mots, la désignation  comporte :
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* Un chiffre qui dépend ''grosso modo'' du nombre de connexions : 1 pour une diode, 2 pour un transistor,3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a quatre pattes (dont une masse...) ;
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* Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro.
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* Un nombre.
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* Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant ('''attention''' : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
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* Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.
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===Nomenclature européeenne "PRO-electron"===
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La nomenclature européenne est gérée par l'organisme [http://en.wikipedia.org/wiki/Pro_Electron PRO-Electron]. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.
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|A||Low power/small signal diode || AA119, BA121
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|B||[[Varicap|Varicap diode]] ||BB105G
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|C||Small signal transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BC546C
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|D||High power, low frequency power transistor, R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BD139
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|E||[[Tunnel diode|Tunnel (Esaki-)diode]] || AE100
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|F||Low power, [[Radio Frequency|RF]] (high frequency) [[BJT|Bipolar]] or [[FET]], R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BF245
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|G||Hybrid device ||
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|H||[[Hall effect sensor]]/diode ||
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|L||High frequency, high power transistor (for transmitters), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BLW34
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|M||[[Ring modulation|Ring modulator]]-type [[frequency mixer]] ||
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|N||[[Opto-isolator]] || CNY17
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|Q||Radiation generator ([[Light-emitting diode|LED]])|| CQY99
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|R||Low-power control or switching device: [[Thyristor]]s, [[Diac]]s, [[Triac]]s, [[Unijunction transistor|UJT]]s, Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. || BR100
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|S||Low-power switching transistor, bipolar or [[MOSFET]]), R<sub>th</sub>G&nbsp;>&nbsp;15K/W || BS170
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|T||High-power control or switching device: [[Thyristor]]s, [[TRIAC]]s, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. || BT138
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|U||High-power switching transistors, bipolar or [[MOSFET]]), R<sub>th</sub>G&nbsp;≤&nbsp;15K/W || BU508, BUZ11
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|V||Antenna ||
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|W||Surface acoustic wave device ||
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|X||[[Frequency multiplier]]: [[Varactor]], [[Step recovery diode]] ||
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|Y||High-power rectifying diode || BY228
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|Z||[[Avalanche diode|Avalanche]], [[Transient voltage suppressor|TVS]], [[Zener diode|Zener]] diode || BZY91
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A 3-digit sequence number (or one letter then 2 digits, for industrial types) follows<ref name="D15/2010-07">{{cite web |url=http://www.eeca.eu/data/File/PRO%20ELECTRON_D15%20final%20version%202007_12%20%28ESIA%29%20updated%2016%2007%2010.pdf |title=PRO ELECTRON_D15 final version 2007_12 (ESIA) updated 16/07/10.pdf |author=Pro Electron |date=July 2010 |accessdate=June 24, 2012}}</ref>. Examples are:
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|AC||[[Germanium]] small signal transistor || AC126
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|AF||[[Germanium]] [[Radio Frequency|RF]] transistor ||AF117
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|BC||Silicon, small signal transistor ("allround") || BC548B
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|BD||Silicon, power transistor || BD139
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|BF||Silicon, [[Radio Frequency|RF]] (high frequency) [[BJT]] or [[FET]] || BF245
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|BS||Silicon, switching transistor Bipolar or [[MOSFET]]) || BS170
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|BL||Silicon, high frequency, high power (for transmitters) || BLW34
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|BU||Silicon, high voltage (for [[Cathode ray tube|CRT]] horizontal deflection circuits) || BU508
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With early devices, the number indicated the case type. Suffixes may be used, such as a letter (e.g. "C" often means high h<sub>FE</sub>, such as in: BC549C<ref>[http://www.fairchildsemi.com/ds/BC/BC549.pdf Datasheet for BC549, with A,B and C gain groupings]</ref>). Other codes may follow to show gain (e.g. BC327-25) or voltage rating (e.g. BUK854-800A<ref>[http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BUK854-800A.pdf datasheet for BUK854-800A (800volt IGBT)]</ref>). A BC546 might only be marked "C546", thus possibly creating confusion with JIS abbreviated markings, because a transistor marked "C546" might also be a 2SC546.
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* Short summary of semiconductor diode and transistor designations
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    BC549C
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    /  \ \ \___ variant (A,B,C for transistors implies low, medium or high gain)
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  /    \ \____ serial number (3 digits or letter and 2 digits)
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  /      \_____ device type:
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A=Germanium    A=Signal Diode
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B=Silicon      C=LF Low Power transistor
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C=GaAs          D=Power transistor
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                F=RF transistor (or FET)
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                P=Photosensitive transistor
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                T=Triac or Thyristor
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                Y=Rectifier Diode
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                Z=Zener diode
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==Les bases de données de caractéristiques==
==Les bases de données de caractéristiques==

Revision as of 10:47, 5 September 2012

Contents

Les nomenclatures

Il existe (au moins) trois nomclatures :

  • une nomenclature européenne, de la forme BBXXX (diodes varicaps), BCYYY (transistors petits signaux), BFZZZ (transistors HF), etc.
  • une nomenclature US, de la forme 1NXXXX, 2NYYYY, etc.
  • une nomenclature japonaise, de la forme 2SCXXX, 2SKYYYY, etc.

Les règles complètes sont rappelées ci-après.

Nomenclature américaine

La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le site du JEDEC.

Une copie privée du document est disponible [ici].

En quelques mots, la désignation comporte :

  • Un chiffre qui dépend grosso modo du nombre de connexions : 1 pour une diode, 2 pour un transistor,3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a quatre pattes (dont une masse...) ;
  • Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro.
  • Un nombre.
  • Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant (attention : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
  • Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.

Nomenclature européeenne "PRO-electron"

La nomenclature européenne est gérée par l'organisme PRO-Electron. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.

2nd letter Usage Example
ALow power/small signal diode AA119, BA121
BVaricap diode BB105G
CSmall signal transistor, RthG > 15K/W BC546C
DHigh power, low frequency power transistor, RthG ≤ 15K/W BD139
ETunnel (Esaki-)diode AE100
FLow power, RF (high frequency) Bipolar or FET, RthG > 15K/W BF245
GHybrid device
HHall effect sensor/diode
LHigh frequency, high power transistor (for transmitters), RthG ≤ 15K/W BLW34
MRing modulator-type frequency mixer
NOpto-isolator CNY17
QRadiation generator (LED) CQY99
RLow-power control or switching device: Thyristors, Diacs, Triacs, UJTs, Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. BR100
SLow-power switching transistor, bipolar or MOSFET), RthG > 15K/W BS170
THigh-power control or switching device: Thyristors, TRIACs, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. BT138
UHigh-power switching transistors, bipolar or MOSFET), RthG ≤ 15K/W BU508, BUZ11
VAntenna
WSurface acoustic wave device
XFrequency multiplier: Varactor, Step recovery diode
YHigh-power rectifying diode BY228
ZAvalanche, TVS, Zener diode BZY91

A 3-digit sequence number (or one letter then 2 digits, for industrial types) follows<ref name="D15/2010-07">Template:Cite web</ref>. Examples are:

Prefix class Usage Example
ACGermanium small signal transistor AC126
AFGermanium RF transistor AF117
BCSilicon, small signal transistor ("allround") BC548B
BDSilicon, power transistor BD139
BFSilicon, RF (high frequency) BJT or FET BF245
BSSilicon, switching transistor Bipolar or MOSFET) BS170
BLSilicon, high frequency, high power (for transmitters) BLW34
BUSilicon, high voltage (for CRT horizontal deflection circuits) BU508

With early devices, the number indicated the case type. Suffixes may be used, such as a letter (e.g. "C" often means high hFE, such as in: BC549C<ref>Datasheet for BC549, with A,B and C gain groupings</ref>). Other codes may follow to show gain (e.g. BC327-25) or voltage rating (e.g. BUK854-800A<ref>datasheet for BUK854-800A (800volt IGBT)</ref>). A BC546 might only be marked "C546", thus possibly creating confusion with JIS abbreviated markings, because a transistor marked "C546" might also be a 2SC546.

  • Short summary of semiconductor diode and transistor designations 
    BC549C
   /  \ \ \___ variant (A,B,C for transistors implies low, medium or high gain)
  /    \ \____ serial number (3 digits or letter and 2 digits)
 /      \_____ device type:
A=Germanium     A=Signal Diode
B=Silicon       C=LF Low Power transistor
C=GaAs          D=Power transistor
                F=RF transistor (or FET) 
                P=Photosensitive transistor
                T=Triac or Thyristor
                Y=Rectifier Diode
                Z=Zener diode


Les bases de données de caractéristiques

Les caractéristiques essentielles des transistors peuvent se trouver sur les sites suivants :

Pour une description détaillée, on cherchera sur les sites qui donne accès aux datasheets complètes :

Certains (gros) sites commerciaux donnent aussi ces informations : <à compléter>

Les boitiers

On trouvera une liste très longue de types de boitiers sur les sites suivants :

Les équivalences

Les sites suivants proposent une recherche d'équivalence (basée une un sous-ensemble des caracétristiques des transistors) :

On trouve aussi quelques tables de correspondances :

  • <A compléter>


Naturellement, il existe aussi de gros catalogues papiers de correspondances :

  • <A compléter>
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