Caractéristique des transistors
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Les règles complètes sont rappelées ci-après. | Les règles complètes sont rappelées ci-après. | ||
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===Nomenclature américaine=== | ===Nomenclature américaine=== | ||
La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le [http://www.jedec.org/standards-documents/type-registration-data-sheets site du JEDEC]. | La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le [http://www.jedec.org/standards-documents/type-registration-data-sheets site du JEDEC]. | ||
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En quelques mots, la désignation comporte : | En quelques mots, la désignation comporte : | ||
- | * Un chiffre qui dépend ''grosso modo'' du nombre de connexions : 1 pour une diode, 2 pour un transistor,3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a quatre pattes (dont une masse. | + | * Un chiffre qui dépend ''grosso modo'' du nombre de connexions ''utiles'': 1 pour une diode, 2 pour un transistor, 3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a pourtant quatre pattes (dont une masse qui est certainement considéré comme un patte inutile). |
* Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro. | * Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro. | ||
* Un nombre. | * Un nombre. | ||
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* Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié. | * Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié. | ||
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La nomenclature européenne est gérée par l'organisme [http://en.wikipedia.org/wiki/Pro_Electron PRO-Electron]. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia. | La nomenclature européenne est gérée par l'organisme [http://en.wikipedia.org/wiki/Pro_Electron PRO-Electron]. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia. | ||
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Z=Zener diode | Z=Zener diode | ||
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+ | La nomenclature japonaise est gérée par le JEITA. | ||
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+ | En quelques mots, pour ce qui cocnerne les transistors petits signaux : | ||
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+ | | 2SA || PNP high frequency use bipolar transistor | ||
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+ | | 2SC || NPN high frequency use bipolar transistor | ||
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+ | | 2SD || NPN low frequency use bipolar transistor | ||
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+ | | 2SJ || P channel FET | ||
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+ | | 2SK || N channel FET | ||
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+ | | 3SK || N channel FET with two gates | ||
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==Les bases de données de caractéristiques== | ==Les bases de données de caractéristiques== |
Revision as of 10:57, 5 September 2012
Contents |
Les nomenclatures
Il existe (au moins) trois nomclatures :
- une nomenclature européenne, de la forme BBXXX (diodes varicaps), BCYYY (transistors petits signaux), BFZZZ (transistors HF), etc.
- une nomenclature US, de la forme 1NXXXX, 2NYYYY, etc.
- une nomenclature japonaise, de la forme 2SCXXX, 2SKYYYY, etc.
Les règles complètes sont rappelées ci-après.
Nomenclature américaine
La nomenclature américaine est gérée par le JEDEC. Le document qui décrit le standard de nommage est accessible gratuitement (après inscription) sur le site du JEDEC.
Une copie privée du document est disponible [ici].
En quelques mots, la désignation comporte :
- Un chiffre qui dépend grosso modo du nombre de connexions utiles: 1 pour une diode, 2 pour un transistor, 3 pour un pont de diodes. A noter que le 2N4416 a pourtant quatre pattes (dont une masse qui est certainement considéré comme un patte inutile).
- Une lettre qui doit être "N" pour un composant enregistré auprès du JEDEC et "C" pour un composant non enregistré mais qui peut remplacer le composant enregistré (donc en "N") portant le même numéro.
- Un nombre.
- Une lettre entre A et J qui désigne une version du composant (attention : la lettre n'a rien à voir avec le gain, comme c'est le cas dans la nomenclature européenne). La lettre "R" a une signification particulière.
- Une éventuel couple de lettres (MR ou RM) pour désigner un couple de diodes apparié.
Nomenclature européeenne
La nomenclature européenne est gérée par l'organisme PRO-Electron. Ce qui suit est une recopie de l'article de Wikipedia.
2nd letter | Usage | Example |
---|---|---|
A | Low power/small signal diode | AA119, BA121 |
B | Varicap diode | BB105G |
C | Small signal transistor, RthG > 15K/W | BC546C |
D | High power, low frequency power transistor, RthG ≤ 15K/W | BD139 |
E | Tunnel (Esaki-)diode | AE100 |
F | Low power, RF (high frequency) Bipolar or FET, RthG > 15K/W | BF245 |
G | Hybrid device | |
H | Hall effect sensor/diode | |
L | High frequency, high power transistor (for transmitters), RthG ≤ 15K/W | BLW34 |
M | Ring modulator-type frequency mixer | |
N | Opto-isolator | CNY17 |
Q | Radiation generator (LED) | CQY99 |
R | Low-power control or switching device: Thyristors, Diacs, Triacs, UJTs, Programmable uni-junction transistors (PUT), Silicon bidirectional switch (SBS), Opto-triacs etc. | BR100 |
S | Low-power switching transistor, bipolar or MOSFET), RthG > 15K/W | BS170 |
T | High-power control or switching device: Thyristors, TRIACs, Silicon bidirectional switch (SBS), etc. | BT138 |
U | High-power switching transistors, bipolar or MOSFET), RthG ≤ 15K/W | BU508, BUZ11 |
V | Antenna | |
W | Surface acoustic wave device | |
X | Frequency multiplier: Varactor, Step recovery diode | |
Y | High-power rectifying diode | BY228 |
Z | Avalanche, TVS, Zener diode | BZY91 |
A 3-digit sequence number (or one letter then 2 digits, for industrial types) follows<ref name="D15/2010-07">Template:Cite web</ref>. Examples are:
Prefix class | Usage | Example |
---|---|---|
AC | Germanium small signal transistor | AC126 |
AF | Germanium RF transistor | AF117 |
BC | Silicon, small signal transistor ("allround") | BC548B |
BD | Silicon, power transistor | BD139 |
BF | Silicon, RF (high frequency) BJT or FET | BF245 |
BS | Silicon, switching transistor Bipolar or MOSFET) | BS170 |
BL | Silicon, high frequency, high power (for transmitters) | BLW34 |
BU | Silicon, high voltage (for CRT horizontal deflection circuits) | BU508 |
With early devices, the number indicated the case type. Suffixes may be used, such as a letter (e.g. "C" often means high hFE, such as in: BC549C<ref>Datasheet for BC549, with A,B and C gain groupings</ref>). Other codes may follow to show gain (e.g. BC327-25) or voltage rating (e.g. BUK854-800A<ref>datasheet for BUK854-800A (800volt IGBT)</ref>). A BC546 might only be marked "C546", thus possibly creating confusion with JIS abbreviated markings, because a transistor marked "C546" might also be a 2SC546.
- Short summary of semiconductor diode and transistor designations
BC549C / \ \ \___ variant (A,B,C for transistors implies low, medium or high gain) / \ \____ serial number (3 digits or letter and 2 digits) / \_____ device type: A=Germanium A=Signal Diode B=Silicon C=LF Low Power transistor C=GaAs D=Power transistor F=RF transistor (or FET) P=Photosensitive transistor T=Triac or Thyristor Y=Rectifier Diode Z=Zener diode
Nomenclature japonaise
La nomenclature japonaise est gérée par le JEITA.
Ce document de RENESAS décrit le standard de désignation.
En quelques mots, pour ce qui cocnerne les transistors petits signaux :
Préfixe | Type |
---|---|
2SA | PNP high frequency use bipolar transistor |
2SB | PNP low frequency use bipolar transistor |
2SC | NPN high frequency use bipolar transistor |
2SD | NPN low frequency use bipolar transistor |
2SJ | P channel FET |
2SK | N channel FET |
3SK | N channel FET with two gates |
Les bases de données de caractéristiques
Les caractéristiques essentielles des transistors peuvent se trouver sur les sites suivants :
- http://alltransistors.com/
- <A compléter>
Pour une description détaillée, on cherchera sur les sites qui donne accès aux datasheets complètes :
Certains (gros) sites commerciaux donnent aussi ces informations : <à compléter>
Les boitiers
On trouvera une liste très longue de types de boitiers sur les sites suivants :
- http://alltransistors.com/korpusa_transistorov.php
- (un document à usage personnel qui reprend cette liste)
Les équivalences
Les sites suivants proposent une recherche d'équivalence (basée une un sous-ensemble des caracétristiques des transistors) :
On trouve aussi quelques tables de correspondances :
- <A compléter>
Naturellement, il existe aussi de gros catalogues papiers de correspondances :
- <A compléter>