Analyseur de spectre rudimentaire
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Une deuxième solution consiste à utiliser un DDS du type [http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/AD9850.pdf AD9850] dont on trouve des modules sur e-bay (c'est un CMS...). On peut aussi se le faire soit-même (voir mon [[Générateur de fonctions à base d'EPROM|générateur DDS à EPROM]] par ex.). Voir aussi l'[http://pdf1.alldatasheet.fr/datasheet-pdf/view/48104/AD/AD639.html AD639]. | Une deuxième solution consiste à utiliser un DDS du type [http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets/AD9850.pdf AD9850] dont on trouve des modules sur e-bay (c'est un CMS...). On peut aussi se le faire soit-même (voir mon [[Générateur de fonctions à base d'EPROM|générateur DDS à EPROM]] par ex.). Voir aussi l'[http://pdf1.alldatasheet.fr/datasheet-pdf/view/48104/AD/AD639.html AD639]. | ||
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La transformation du signal triangulaire en signal sinusoïdal peut exploiter un étage d'intégration supplémenaire, mais on comprend bien que l'on ne parviendra jamais par ce moyen à obtenir un vrai signal sinusoïdal.. on obtient au mieux une approximation quadratique. | La transformation du signal triangulaire en signal sinusoïdal peut exploiter un étage d'intégration supplémenaire, mais on comprend bien que l'on ne parviendra jamais par ce moyen à obtenir un vrai signal sinusoïdal.. on obtient au mieux une approximation quadratique. | ||
La technique qui est généralement utilisée exploite un montage à base de diodes. Voir par ex. [http://www.ti.com/lit/an/snoa665c/snoa665c.pdf l'AN263] de TI, p.8 (cette note présente diverses techniques de génération de signaux sinusoïdaux). | La technique qui est généralement utilisée exploite un montage à base de diodes. Voir par ex. [http://www.ti.com/lit/an/snoa665c/snoa665c.pdf l'AN263] de TI, p.8 (cette note présente diverses techniques de génération de signaux sinusoïdaux). | ||
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| - | * une qui consiste à créer une approximation de la sinusoïde par parties (segments de droites, chercher "diode shaper") ; | + | * une qui consiste à créer une approximation de la sinusoïde par parties (segments de droites, chercher "diode shaper") ; l'article [http://www-personal.engin.umd.umich.edu/~fmeral/ELECTRONICS%20II/03%25c3-Diodes/02a-Diode%20Waveshape%20Illus.pdf diode wave shaping]. |
* une qui consiste à exploiter la courbe de réponse logarithmique d'une jonction bipolaire. | * une qui consiste à exploiter la courbe de réponse logarithmique d'une jonction bipolaire. | ||
| - | La deuxième technique utilise une paire de transistors montés en ampli différentiel. La transductance de cette structure est de la forme d'une tangente hyperbolique. On trouvera [http://www.ece.gatech.edu/academic/courses/ece4430/ECE4430/Unit2/Diff_Pair.pdf ici] le calcul détaillé de cette transductance. | + | La deuxième technique utilise une paire de transistors montés en ampli différentiel. En effet, dans une jonction bipolaire d'un transistor (ou dans une diode), le voltage base-émetteur varie en fonction du logarithme du courant base-émetteur (ou émetteur/collecteur). On peut donc utiliser une telle jonction pour calculer un logarithme. (Voir par exemple [http://hkpho.phys.ust.hk/Training/Experiments/E3_Diodes&Transistors.pdf l'article suivant qui donne un modèle physique du transistor].VA est la tension au borne de la jonction de la diode.) |
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Or la proximité des développements limités de la tangente hyperbolique et de la sinusoïde (voir [[http://wiki.analog.com/university/courses/electronics/electronics-lab-12sg ici]). | Or la proximité des développements limités de la tangente hyperbolique et de la sinusoïde (voir [[http://wiki.analog.com/university/courses/electronics/electronics-lab-12sg ici]). | ||
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Revision as of 15:30, 31 May 2014
Génération du signal sinusoïdal
On peut tout d'abord utiliser un générateur intégré du type MAX038 (cher), l'XR2206 ou ICL8038 (sur ce chip, voir la note "everything you always wanted to know...").
Une deuxième solution consiste à utiliser un DDS du type AD9850 dont on trouve des modules sur e-bay (c'est un CMS...). On peut aussi se le faire soit-même (voir mon générateur DDS à EPROM par ex.). Voir aussi l'AD639.
Bon, j'élimine cette solution essentiellement numérique.
Une autre solution repose sur la transformation d'un signal carré en signal sinusoïdal.
Pour produire un VCO à signal rectangulaire, on peut
- utiliser un VCO intégré (type CD4060, une PLL)
- générer un signal triangulaire à partir du signal rectangulaire en utilisant un intégrateur puis transformer le signal triangulaire en signal sinusoïdal.
Pour transformer le signal rectangulaire en signal sinusoïdal, on peut
- filtrer le signal pour éliminer toutes les harmoniques surnuméraires (impaires), mais cela ne fonctionne facilement que si la fréquence du signal à produire est fixe.
- transformer le signal rectangulaire en signal triangulaire au moyen d'un intégrateur puis utiliser un dispositif de transformation du signal triangulaire en signal sinusoïdal.
La transformation du signal triangulaire en signal sinusoïdal peut exploiter un étage d'intégration supplémenaire, mais on comprend bien que l'on ne parviendra jamais par ce moyen à obtenir un vrai signal sinusoïdal.. on obtient au mieux une approximation quadratique.
La technique qui est généralement utilisée exploite un montage à base de diodes. Voir par ex. l'AN263 de TI, p.8 (cette note présente diverses techniques de génération de signaux sinusoïdaux).
Voir aussi [1] et .
Plusieurs "techniques" semblent exploitées :
- une qui consiste à créer une approximation de la sinusoïde par parties (segments de droites, chercher "diode shaper") ; l'article diode wave shaping.
- une qui consiste à exploiter la courbe de réponse logarithmique d'une jonction bipolaire.
La deuxième technique utilise une paire de transistors montés en ampli différentiel. En effet, dans une jonction bipolaire d'un transistor (ou dans une diode), le voltage base-émetteur varie en fonction du logarithme du courant base-émetteur (ou émetteur/collecteur). On peut donc utiliser une telle jonction pour calculer un logarithme. (Voir par exemple l'article suivant qui donne un modèle physique du transistor.VA est la tension au borne de la jonction de la diode.)
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La transductance de cette structure est de la forme d'une tangente hyperbolique. On trouvera ici le calcul détaillé de cette transductance.
Or la proximité des développements limités de la tangente hyperbolique et de la sinusoïde (voir [ici).
